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拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司：国际商务机器（IBM）、意法半导体（STMicroelectronics）、台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）、飞思卡尔（Freescale，原本的摩托罗拉半导体部门）、索尼（Sony）、Atmel、Chartered Semiconductor Manufacturing、Micrel、英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）、IHP、Jazz Semiconductor，原本的胜讯（Conexant）。超微半导体（AMD）有意加入IBM的SiGe应变矽技术开发计划，让技术迈入65nm级规模。
2015年七月，IBM公司宣布通过SiGe工艺制成了7 nanometer级晶体管，有望使晶体管的产量上升三倍。
SiGe材料可让异质接面双极性电晶体整合进CMOS逻辑积体电路，达成混合讯号电路的功能。异质接面双极性电晶体比起同质接面双极性电极体，拥有高顺向增益、低逆向增益、低电流和较好的高频特性等优点。但在异质面技术中，与仅使用硅的技术相比，SiGe这种化合物半导体更容易进行能带调节。
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天主教瓦尔迪维亚教区（Dioecesis Valdiviensis、Diócesis de Valdivia）是智利一个罗马天主教教区，属康塞普西翁总教区。
1910年6月14日成立自治传教团，1924年9月25日升为宗座署理区。1944年7月8日升为教区。教区包括兰科省和瓦尔迪维亚省南部四个市。2010年有教友237,000人（占教区总人口79.8%）、三十一名司铎、十七个堂区。现任教区主教为依纳爵·杜卡塞·梅迪纳。
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嘉禄·莱曼是天主教德国司铎级枢机及美因茨教区主教。
嘉禄·莱曼于1936年5月16日在德国西格马林根出生。他于1957年至1964年在弗赖堡神学院就读。他又在罗马宗座额我略大学学习，并获大学授予哲学和神学博士学位。
他于1963年10月10日在罗马晋铎。他于1964年至1967年期间担任基督教思想与宗教哲学研究所助理。他于1974年至1984年期间出任International Theological Commission成员。他于1983年10月2日首牧，并获教宗若望·保禄二世任命为美因茨教区主教。他于1985年至1987年期间出任德国主教团副主席，1987年起出任主教团主席至2008年辞职为止。若望·保禄二世于2001年2月21日将他擢升为司铎级枢机，领圣良一世堂区司铎衔。他于2016年5月16日荣休并卸任美因茨教区主教，主教一职由Peter Kohlgraf接任。
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