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亚历山大填平了护城河，并且架起投石机后，波斯守军企图发动夜袭来破坏这些攻城器具，但遭到马其顿军队击退。过了几天，亚历山大部将佩尔狄卡斯营中的两位士兵莽撞接近城墙，意外引发双方部队展开激烈攻防战，尽管这场战斗中城墙遭到破坏，但城内泥瓦匠又很快砌了一道新墙。第二天开始，亚历山大命令投石机向城墙轰击，波斯守军再度出城来破坏这些攻城器具，城墙上守兵也以居高临下之势，向马其顿军攻击，但双方都没有甚么进展，之后接连几天都是如此，但波斯守军损失逐渐惨重。
门农和欧戎托巴提斯认为城墙一部分已经倾倒，军中伤员也持续增加，决定放弃哈利卡那索斯。波斯残军趁著夜晚连夜撤出，并焚烧哈利卡那索斯城内的军需物资，又因当晚风势过大，哈利卡那索斯全城陷入火海中，最后亚历山大急忙命令士兵追击，并要求急忙灭火和帮助城中百姓。战后亚历山大仅获得一座残破的城市。
亚历山大留下一部分军队驻守残城，并让阿妲统领哈利卡那索斯和卡里亚境内，继续进军。
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对于0 16cm-3左右，先镀Ti接触硅再镀上Ag形成欧姆接触。连同使用其它的反应金属，铝接触通过消耗天然氧化物中的氧来形成。硅化物很大程度上取代了铝（Al）部分因为高折射材料不太倾向于扩散到不希望的地带，特别是在随后的高温处理过程中。
复合半导体接触的形成可以理解比硅接触更为复杂。比如说，砷化镓（GaAs）表面倾向于丢失砷而且这种砷丢失的趋势可以通过沉积金属而被可观的放大。另外，砷的易挥发性限制了沉积后退火时砷化镓器件的承受度。砷化镓及其他复合半导体的一种解决办法是沉积低禁带合金接触层与高掺杂层相对。例如，砷化镓自己比砷化铝镓（AlGaAs）有更小的禁带带宽 所以一层靠近它表面的砷化镓层能促进欧姆行为。总之相比之下，III-V和II-VI半导体欧姆接触技术比硅欧姆接触技术发展较缓。
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叶大有，字谦夫，一字谦之，兴化军仙游县万善里古濑村（今福建仙游）人，宋代官员。
叶颙从曾孙。生卒年皆不详。幼家贫，入军学读书。真宗景德二年（1005年）擢李迪榜进士，授泉州知县。淳佑十二年（1252年）秋七月，与右司郎中徐霖相互弹劾。最后徐霖出知抚州。又弹劾给事中赵汝腾，牟子才上疏反弹劾叶大有。不久叶大被罢职。宝佑元年（1253年），担任刑部尚书。不久以母病辞，再任宝章阁学士，出知温州。后以母丧丁忧，不久卒。
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