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基于STM观察和密度泛函理论计算，在铂上形成的显著地更扭曲的锗烯也已经被报道。砷化镓（0001）上锗晶体的外延生长也被实现，计算结果暗示表明最小的相互作用应使锗烯能容易地从该基底上除去。

锗烯的结构被描述为“IV族类石墨烯二维屈曲纳米片”。额外的锗吸附在类石墨烯片材上会导致“哑铃”单元的形成，每个单元都有两个平面外的锗原子，分别在平面的两侧。哑铃之间会互相吸引。哑铃结构的周期性重复排列可能会导致锗烯的其他稳定相形成，从而改变其电磁性质。

2018年10月，Junji Yuhara等人报道说，使用偏析方法可以更容易地进行锗烯的制备，即在锗衬底上使用裸露的银膜并在原位实现其外延生长。类似石墨烯和硅烯一样使用偏析方法的锗烯生长工艺被认为在更简易地合成和转移这种很有前途的二维电子材料上有重要意义。

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