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矽锗（Silicon-germanium，缩写为SiGe），是一种合金，依矽和锗的莫耳比可以表示成SixGe1-x。常被用作积体电路（IC）中的半导体材料，可做成异质结双极性晶体管或CMOS电晶体中的应变诱发层（strain-inducing layer）。IBM公司于1989年在工业生产中引入了硅锗合金相关技术，这一新技术使混合讯号积体电路和类比积体电路的设计与生产多了一项选择。

使用传统的矽半导体器件制造技术，即可在晶圆上形成SiGe。在CMOS制程方面，SiGe制程的成本和矽制程相当，但在异质接面技术方面，SiGe制程的成本比砷化镓制程还要低。近来，使用有机金属气相磊晶（MOVPE）沉积高纯度的含Ge薄膜、SiGe和应变矽时，会使用只有少量危害的液体来当做替代物，像有机锗化合物前体（如：异丁基锗烷、三氯锗烷、二甲氨基三氯锗烷）。

拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司：国际商务机器（IBM）、意法半导体（STMicroelectronics）、台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）、飞思卡尔（Freescale，原本的摩托罗拉半导体部门）、索尼（Sony）、Atmel、Chartered Semiconductor Manufacturing、Micrel、英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）、IHP、Jazz Semiconductor，原本的胜讯（Conexant）。超微半导体（AMD）有意加入IBM的SiGe应变矽技术开发计划，让技术迈入65nm级规模。

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论题指的是作者对自己撰写的论文、研究报告等文章的主要观点或主张的简明性总结。它通常用一句话就能表达，并且作者还会在文章的其他地方反复提到论题。

有两种类型的论题：直接和间接。间接论题不直接点出主张和缘由，而直接论题会直接说明主张。如果有人写道："我爱纽约有三个原因"，那么他爱纽约这一事实就是文章主题，而 "三个原因 "则是一种间接的论题。论文会在具体段落提到三个原因。如果一个人写道："我爱纽约，因为这里有食物、爵士俱乐部和百老汇演出"，这是一个直接的论题，因为它直接告诉了读者作者的主张，并且暗示文章每个段落可能要阐述的内容。

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陆子彰是平原简王陆丽曾孙，钜鹿郡公陆叡的孙子，淮阳男陆希道第四子。陆昕之的妻子常山公主有三女无男，以陆昕之从兄陆希道第四子陆子彰为后。陆子彰之妻为元禧女上庸公主，长于彭城王元勰家，与元子攸友善。魏孝明帝正光年间，袭爵东郡公，官至散骑侍郎。元子攸即位为魏孝庄帝，封陆子彰濮阳王，拜给事黄门侍郎。出为洛州刺史。魏孝静帝天平年间，拜卫将军。为母丁忧去职，元象年间，以本将军除齐州刺史，转任北豫州刺史、徐州刺史，一年历任三州。为州官时，专事聚敛钱财，晚年能改过，并虚己待士。之后历任青州、冀州、沧州等州刺史，守法勤政，受民敬爱。武定八年（550年），为中书监，喜好道术，病重时，不杀生，陆子彰去世后，赠骠骑大将军，谥号文宣。

* 陆杳，北齐使持节、骠骑大将军、开府仪同三司、都督秦州诸军事、秦州刺史

* 陆彦师，隋朝上仪同、汾州刺史、临水县子

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