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若瑟·彼得罗基于1948年8月19日在意大利中部马尔凯大区阿斯科利皮切诺省的城市阿斯科利皮切诺出生，1973年9月14日晋铎。
1998年6月27日，彼得罗基被时任教宗若望·保禄二世任命为拉蒂纳-泰拉奇纳-塞泽-普里韦尔诺教区主教，并于1998年9月20日由桑托斯·阿夫里尔·卡斯特略晋牧。2013年6月8日，彼得罗基接任成为拉奎拉总教区正权总主教，并于同年7月7日就任。
2018年5月20日，教宗方济各宣布枢机团将会于同年6月29日增添14位成员，彼得罗基是其中一位。他们后来提前一天加入枢机团。他于该日获册封为司铎级枢机，领佛罗伦萨的圣若望堂区司铎衔。
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图赫里勒三世（ طغرل、Tuğrul；1194年），塞尔柱帝国末代苏丹。
他是苏丹阿尔斯兰沙之子，他在1175至1176年即位。在1190年，他试图摆脱负责管教他的阿塞拜疆阿德贝格克孜尔·阿尔斯兰，被后者推翻，不过不久他重新夺回王位。
他统治时期花剌子模王朝不断向伊朗扩张；在与花刺子模沙阿阿拉丁·塔乞失的战争中的1194年3月19日，图赫里勒三世在雷伊附近被打败和被杀；他的首级送给在巴格达的阿拔斯王朝哈里发安-纳赛尔，塞尔柱帝国也正式消失，版图并入花剌子模王朝。
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在金属中由于有大量电子移动抵消外加电场，外加的电场能使金属表层的电荷分布发生改变。然而，在半导体中，正负电荷的密度较低，无法完全抵消外加电场，所以外加电场会在半导体材料表面附近改变材料的导电性，这被称为“场效应”。场效应应用于肖特基二极管，场效应晶体管（主要指的是MOSFET，JFET和MESFET）。
在外加电场的作用下，接近半导体表面一定深度下的电子能级发生改变，这导致了材料表面的导电性发生改变，也使得材料表面区域的电子能占有的能级发生变化。这种效应具有代表性的表征方式是“能带弯曲图”。能带弯曲图表征了材料表面的能带边界Ef, Ec, Ev与进入材料深度x之间的关系。
如右图所示一个典型的能带弯曲图。为了简化，能带中的能量单位是eV，电压的单位是V，避免了引入参数q作为单位电荷。右图中显示的是一个双层结构，左边是绝缘体层，右边是半导体层。一个使用类似结构的例子是MOS电容，一个双端的结构，一边是金属栅极端，一边是半导体材料（比如硅）端，中间夹着一层绝缘层（比如氧化硅）。右图中，左边的子图显示出了导带的最低能级（Conduction Edge）和价带的最高能级（Valence Edge）。这些能带在外加电压V的作用下发生弯曲。依照习惯，图中显示的是电子的拥有能量，所以一个正电压作用于半导体材料会使材料表面的能带向下弯曲。虚线表示的是能级占有情况费米能级Ef：低于Ef倾向于被电子占领，导带在外加电压作用下向下弯曲更加接近Ef，表明在接近绝缘层的地方导带中存在更多的电子。
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