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使用传统的矽半导体器件制造技术，即可在晶圆上形成SiGe。在CMOS制程方面，SiGe制程的成本和矽制程相当，但在异质接面技术方面，SiGe制程的成本比砷化镓制程还要低。近来，使用有机金属气相磊晶 （MOVPE）沉积高纯度的含Ge薄膜、SiGe和应变矽时，会使用只有少量危害的液体来当做替代物，像有机锗化合物前体（如：异丁基锗烷、三氯锗烷、二甲氨基三氯锗烷）。
拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司：国际商务机器（IBM）、意法半导体（STMicroelectronics）、台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）、飞思卡尔（Freescale，原本的摩托罗拉半导体部门）、索尼（Sony）、Atmel、Chartered Semiconductor Manufacturing、Micrel、英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）、IHP、Jazz Semiconductor，原本的胜讯（Conexant）。超微半导体（AMD）有意加入IBM的SiGe应变矽技术开发计划，让技术迈入65nm级规模。
2015年七月，IBM公司宣布通过SiGe工艺制成了7 nanometer级晶体管，有望使晶体管的产量上升三倍。
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俄国社会民主工党第四次代表大会（IV съезд РСДРП），即事实上的苏共四大，于1906年4月23日至5月8日（旧历4月10日至25日）在瑞典斯德哥尔摩举行。
出席此次大会的代表中共有134名，其中有112名具有投票权，代表57个地方党组织，22名代表仅有发言权。其中孟什维克代表62人，布尔什维克代表46人，剩余代表来自各国社会民主党：来自崩得的3人、来自拉脱维亚社会民主工党的3人，来自乌克兰社会民主工党的1人，来自芬兰工党的一人，另外还有一名来自保加利亚社会民主工党的一名代表。
来自布尔什维克的代表包括米哈伊尔·伏龙芝、米哈伊尔·加里宁、娜杰日达·克鲁普斯卡娅、弗拉基米尔·列宁、阿纳托利·卢那察尔斯基、费奥多尔·谢尔盖耶夫、斯捷潘·绍米扬、伊万·斯克沃尔佐夫-斯捷潘诺夫、约瑟夫·斯大林、克利缅特·伏罗希洛夫和瓦茨拉夫·沃罗夫斯基。此次会议主要议程是土地问题，对现状和无产阶级任务的评估，对国家杜马的态度，以及组织问题。对于各项议题，在布尔什维克与孟什维克之间都产生了痛苦的争论。列宁就土地问题、现状、以及对国家杜马选举的策略、武装起义以及其他问题做了报告。
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1890年，多伦多大学建造了加拿大第一所可以提供建筑相关专业的学院，并在1965年开设了加拿大第一个景观建筑专业项目。2008年，为了纪念建筑学院的主要赞助人约翰·丹尼尔夫妇，便改为今名。丹尼尔在2013年再次为学院投入大量资助，使得学院有资金可以计划将旧有的One Spadina大楼改造成为其所有专业项目和设施的总部。
1890年，在一名工程师C.H.C.Wright的牵头下，多伦多大学成立了建筑系，使它成为加拿大乃至北美大陆最早设立的建筑专业项目之一。它最初隶属于应用科学学院，并提供应用科学的学士学位。直到1922年，建筑系毕业的本科生才可以获得建筑学学士学位，并可以开始建筑学硕士的学习。多伦多大学在课程设置上效仿英国和美国的体系，但是针对工程、数学专业的学生有着更多的课时安排。至1930年，多伦多大学建筑系受到了英国皇家建筑师协会的关注，并在不久后改为建筑学院，脱离了应用科学与工程学院。
* 建筑学硕士 (MArch) (专业)
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