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耶律独攧，字胡独堇。辽国将领。契丹人，太师耶律古昱之子。

重熙初年，为左护卫，从辽兴宗率禁军伐西夏有功，授十二行𫄙司徒。再举伐夏，耶律独攧括山西诸郡马。还军，转任拽剌详稳。西南未平，命耶律独攧同知金肃军事。后又屡败夏军，进涅刺奥隗部节度使。辽道宗清宁元年（1055年），召为皇太后左护卫太保。清宁四年（1058年），为宁远军节度使，东路百姓饥荒，奏请赈济。历任五国、乌古部、辽兴军三镇节度使，四捷军详稳。大康元年（1075年）去世，追赠同中书门下平章事。

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纯半导体的晶体（例如矽或锗）在室温下非常缺乏传导载子，因为一个电子的能量十分地大于一个电子在如此的一块晶体所能获得的热能量是为了占据传导能量阶层。对半导体加热可以激发电子进入传导状态，但更有实用价值的是借由掺入杂质进去晶体以增加导电度，一块晶体可能掺杂少量的元素有比半导体更多的电子，这些过量电子将自由的在晶体内移动穿梭，这样的一块晶体是一种N型半导体。一种是可能掺杂少量的元素到晶体内有比半导体更少的电子并且电子空缺，或电洞，将自由移动穿梭于晶体就像是带正电荷的电子，这样一块已掺杂的晶体是一种P型半导体。

在半导体的表面，传导带的能量可以被改变，将增加或减少晶体的导电度。金属与N型或P型半导体之间的接合面或两种类型的半导体之间有不对称的导电性质，并且半导体接合面可以因此被用于改变电流。在一个整流器，在低电阻方向施加电压偏压产生电流是一种顺向偏压，当偏压于相对方向是一种反向偏压。

在第二次世界大战末期半导体整流器是已熟悉的装置，肖克利希望制造一个新装置能够有可变的电阻并因此能当做放大器，他提议一个设计一个电场施加跨越半导体薄板的厚度，半导体的传导性变化只借由预期数量的小部分当电场被供应，约翰巴丁建议是由于电子在半导体表面能量状态的存在。

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* 1505年 – 儒略二世订制陵墓，米开朗基罗花费了8个月时间，在卡拉拉挑选大理石但是在施工期间，米开朗基罗与教宗发生争吵，米开朗基罗逃离罗马，以保证安全。

* 1508年 – 多纳托·伯拉孟特嫉妒米开朗基罗的合同，利用米开朗基罗的缺席，让教宗相信，在生前建造坟墓会带来噩运，米开朗基罗的时间最好用在梵蒂冈宫的西斯廷小堂天花板上。他与米开朗基罗的其他竞争对手，都认为米开朗基罗无法完成庞大的天花板工程，因此会受到羞辱，离开罗马。

* 1512年 – 随着西斯汀小堂天花板的装饰完成，米开朗基罗恢复了坟墓的作品。在1512-1513年间，他为这个项目完成了三个雕塑：《垂死的奴隶》和《叛逆的奴隶》（现藏于巴黎卢浮宫）和《梅瑟》。

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