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第二次世界大战爆发前，军人、右翼政治家陆军上尉阿奇博尔德·拉姆齐（Capt. Archibald Ramsay）建立了右翼会（The Right Club），旨在“协调各式爱国会社的工作”，其著名成员包括米特福德姊妹之父戴维·弗里曼-米特福德，第二代里兹代尔男爵（David Freeman-Mitford, 2nd Baron Redesdale），亚瑟·韦尔斯利，第五代威灵顿公爵（Arthur Wellesley, 5th Duke of Wellington），休·格罗夫纳，第二代威斯敏斯特公爵（Hugh Grosvenor, 2nd Duke of Westminster），詹姆斯·格拉汉姆，格拉汉姆侯爵（James Graham, Marquess of Graham）与伦道夫·斯图尔特，第十二代加洛威伯爵（Randolph Stewart, 12th Earl of Galloway）。而马维什自己也加入了这个会社。话虽如此，在二战爆发时，她还是支持与德国作战，主张武装女性，御防德军入侵英国。
此外，马维什支持人们进行各类体育活动，而她自己则喜欢驾驶飞机，在空中飞行。1936年5月，Radstock Fellowship Homing Society举办了一次飞行比赛，有166架飞机参加。她驾驶一架de Havilland Hornet Moth参加比赛，在不少不利因素下，完成了比赛，获得银杯。奖杯由法兰克·比彻姆爵士（Sir Frank Beauchamp）与他的儿子伊恩（Ian）颁发。
马维什也是一个活跃的女权主义者，她曾担任女性力量委员会（Women’s Power Committee）主席、男女同薪同酬运动委员会（Equal Pay Campaign Committee）委员，更为此写了一本小册子，题为“Equal Work Deserves Equal Pay!”，进行宣传。她为女性平民争取到与男性平民同等的赔偿，并引以为傲。
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矽锗（Silicon-germanium，缩写为SiGe），是一种合金，依矽和锗的莫耳比可以表示成SixGe1-x。常被用作积体电路（IC）中的半导体材料，可做成异质结双极性晶体管或CMOS电晶体中的应变诱发层（strain-inducing layer）。IBM公司于1989年在工业生产中引入了硅锗合金相关技术，这一新技术使混合讯号积体电路和类比积体电路的设计与生产多了一项选择。
使用传统的矽半导体器件制造技术，即可在晶圆上形成SiGe。在CMOS制程方面，SiGe制程的成本和矽制程相当，但在异质接面技术方面，SiGe制程的成本比砷化镓制程还要低。近来，使用有机金属气相磊晶 （MOVPE）沉积高纯度的含Ge薄膜、SiGe和应变矽时，会使用只有少量危害的液体来当做替代物，像有机锗化合物前体（如：异丁基锗烷、三氯锗烷、二甲氨基三氯锗烷）。
拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司：国际商务机器（IBM）、意法半导体（STMicroelectronics）、台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）、飞思卡尔（Freescale，原本的摩托罗拉半导体部门）、索尼（Sony）、Atmel、Chartered Semiconductor Manufacturing、Micrel、英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）、IHP、Jazz Semiconductor，原本的胜讯（Conexant）。超微半导体（AMD）有意加入IBM的SiGe应变矽技术开发计划，让技术迈入65nm级规模。
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