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CMP技术早期主要应用于光学镜片的抛光和晶圆的抛光。
20世纪70年代，多层金属化技术被引入到集成电路制造工艺中，此技术使芯片的垂直空间得到有效的利用，并提高了器件的集成度。但这项技术使得硅片表面不平整度加剧，由此引发的一系列问题（如引起光刻胶厚度不均进而导致光刻受限）严重影响了大规模集成电路（LSI）的发展。针对这一问题，业界先后开发了多种平坦化技术，主要有反刻、玻璃回流、旋涂膜层等，但效果并不理想。80年代末，IBM公司将CMP技术进行了发展使之应用于硅片的平坦化，其在表面平坦化上的效果较传统的平坦化技术有了极大的改善，从而使之成为了大规模集成电路制造中有关键地位的平坦化技术。
化学机械平坦化是表面全局平坦化技术中的一种，既可以认为是化学增强型机械抛光也可以认为是机械增强型湿法化学刻蚀。该工艺使用具有研磨性和腐蚀性的磨料，并配合使用抛光垫和支撑环。抛光垫的尺寸通常比硅片要大。抛光垫和硅片被一个可活动的抛光头压在一起，而塑料的支撑环则用于保持硅片的位置。硅片和抛光垫同时转动（通常是以相反的方向转），但是它们的中心并不重合。在这个过程中硅片表面的材料和不规则结构都被除去，从而达到平坦化的目的。平面化后的硅片表面使得干式刻蚀中的图样的成型更加容易。平滑的硅片表面还使得使用更小的金属图样成为可能，从而能够提高集成度。
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澳大利亚选手艾玛·麦基翁以51秒96破奥运纪录的成绩夺得冠军，这是她的首枚个人项目奥运金牌，她也成为历史上第四位获得该小项奥运冠军的澳大利亚籍选手。香港选手何诗蓓以52秒27的成绩打破自己保持的亚洲纪录，夺得个人第二枚奥运银牌的同时，也成为历史上首位在同一届奥运收获一枚以上奖牌的香港运动员。麦基翁的队友凯特·坎贝尔则以52秒52收获铜牌，时隔近13年再获一枚个人项目奥运奖牌。
奥运开幕后至该小项开赛前的一段时间，该小项的奥运纪录曾在接力赛期间被刷新：
决赛于2021年7月30日10:59进行。
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巴尔尼姆县形成于1993年12月5日，在Kreisreform Brandenburg 1993中由当时的Kreis Eberswalde（不包括博尔肯多夫镇（Bölkendorf））和Kreis Bernau以及以前Kreis Bad Freienwalde下辖的Hohensaaten和Tiefensee (Werneuchen)组成。
2009年1月1日，Hohensaaten被划归为梅尔基施-奥得兰县巴特弗赖恩瓦尔德市的一部分。
* 1993年至今：Bodo Ihrke（Bodo Ihrke）（德国社民党）
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