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* 加强宽带网络覆盖，其中72亿美元将用于改善特别是偏远地区的宽带网络。

* 190亿美元投资于医疗信息技术领域，例如将病例数据电子化。

* 1059亿美元投资教育建设，包括对各州政府拨出536亿美元修缮学校建筑。

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使用直拉法工艺制备单晶硅时，常用石英（主要成分为二氧化硅）坩埚作为器皿。这样做的一个不可避免的结果，就是器皿本身因为高温加热，将发生热分解，导致熔融状态硅中混入氧，其浓度的典型数量级为1018cm-3。氧杂质将带来一些好处。严格的退火工艺可以使氧沉淀下来。这些氧可以俘获半导体材料中不必要的过渡金属。除此之外，氧杂质还能够改善硅晶圆的机械强度，因为它能够固定制备流程中被引入的位错。1990年代，高浓度氧被发现能够在硅材料粒子探测器（例如欧洲核子研究组织中的大型强子对撞机项目）中用于辐射加固。因此，用这样的硅制成的辐射探测器，是将来进行高能粒子实验的理想设备。在后期的退火过程中，硅中的氧杂质也能俘获其他不必要的杂质。

然而，氧杂质能够在光照环境中与硼发生反应，这与太阳能电池的情况类似。这将形成电活跃的硼-氧络合物。

通过考虑偏析系数，可以获得固态晶体中的杂质浓度。

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朱剑虹(11月)，复旦大学教授，研究领域为神经外科和神经生物学，主持中国“973”等多个重点项目。中国教育部第四批"长江学者"特聘教授，1989年获得世界神经外科联合会（WFNS）授予的世界优秀青年神经外科医师大奖第一名。

1997年获得柏林洪堡大学生物学博士学位，1994至2001年先后在在MAX-Dellbrock德国国家分子医学研究中心、哈佛大学医学院担任研究员，

担任《Regenerative Medicine》、《Reviews on Clinical Trials》、《中华神经医学杂志》、《中国神经精神疾病杂志》等杂志编委。

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