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语言迁移（英文：Language transfer）指的是说话者或写作者在使用第二语言时，也运用了他们母语知识的语言干扰现象。标准的定义为一种语言对学习另一种语言的影响，因此这种现象其实不限定第一语言被移转到第二语言的情况，有时第二语言也能被移转至第三语言。

当两种语言的语言结构或单位相当类似时，语言移转的现象就有可能发生。如果语言移转发生时，说话者仍说出正确的目标语，此种现象可称为正迁移（positive transfer），大多母语人士可理解其欲表达的意思。最显著的例子为同源词（cognate）的使用。

然而，语言移转大多在讨论负向的移转情况。负迁移（negative transfer）发生在说话者将和目标语结构不同的一个语言套用在目标语里。在对比分析的理论里，两个语言的差异越大，负向移转的情况就越多。负向迁移又称负迁移。

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在金属中由于有大量电子移动抵消外加电场，外加的电场能使金属表层的电荷分布发生改变。然而，在半导体中，正负电荷的密度较低，无法完全抵消外加电场，所以外加电场会在半导体材料表面附近改变材料的导电性，这被称为“场效应”。场效应应用于肖特基二极管，场效应晶体管（主要指的是MOSFET，JFET和MESFET）。

在外加电场的作用下，接近半导体表面一定深度下的电子能级发生改变，这导致了材料表面的导电性发生改变，也使得材料表面区域的电子能占有的能级发生变化。这种效应具有代表性的表征方式是“能带弯曲图”。能带弯曲图表征了材料表面的能带边界Ef, Ec, Ev与进入材料深度x之间的关系。

如右图所示一个典型的能带弯曲图。为了简化，能带中的能量单位是eV，电压的单位是V，避免了引入参数q作为单位电荷。右图中显示的是一个双层结构，左边是绝缘体层，右边是半导体层。一个使用类似结构的例子是MOS电容，一个双端的结构，一边是金属栅极端，一边是半导体材料（比如硅）端，中间夹着一层绝缘层（比如氧化硅）。右图中，左边的子图显示出了导带的最低能级（Conduction Edge）和价带的最高能级（Valence Edge）。这些能带在外加电压V的作用下发生弯曲。依照习惯，图中显示的是电子的拥有能量，所以一个正电压作用于半导体材料会使材料表面的能带向下弯曲。虚线表示的是能级占有情况费米能级Ef：低于Ef倾向于被电子占领，导带在外加电压作用下向下弯曲更加接近Ef，表明在接近绝缘层的地方导带中存在更多的电子。

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