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特纽依斯峭壁附近分布有两座已命名的撞击坑，分别是位于北纬82.2度、东经290度，直径6.4公里，坐落在分隔峭壁与阿巴洛斯桌山沟壑中的克罗托内陨击坑（Crotone）；而在北纬81.1度、东经254.2度的特纽依斯峭壁西侧边界附近，可找到直径17公里拉陨击坑（Boola crater）。在阿瓦洛斯桌山以西，与特纽依斯峭壁平行的南面，有一片狭窄的低海拔平原，称作特纽依斯桌山，呈现为向南延伸的斜坡。
一般认为极地基底层，尤其是纽依斯峭壁的侵蚀机制，主要来自下坡风（源于希腊语：卡塔巴西斯（katabasis）-“下降”，即从北极高原下刮的强风）以及太阳消融的作用。这些机制也被认为造成了如今特纽依斯峭壁的侵蚀和消退、崖边附近锥形丘和岬角的出现以及形成将阿巴洛斯桌山与峭壁分开的狭道。从理论上讲，这一侵蚀过程自火星晚亚马逊纪时期就已存在，并被认为是导致极地峭壁从以前更往南的北纬74度不断向后消退的原因。
进一步的理论认为，特纽依斯峭壁地层单元可能曾是一座古高原，比现在的特纽依斯峭壁更往南倾斜。峭壁附近的地质构造，如土丘，被认为是由侵蚀机制而非火山活动所形成。特纽依斯峭壁单元各层的水平姿态（倾斜度）进一步表明了这些地层的非火山成因，因为火山形成的地层通常不呈水平状。而附近的地层如一群由五座高不足700米，直径不到1公里的平顶或凹顶小丘组成的阿瓦洛斯丘群，被认为曾是一块连续的地层单元—特纽依斯峭壁单元的侵蚀残余物。
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赛贝克效应（Seebeck effect）将二种不同金属各自的二端分别连接，并放在不同的温度下，就会在这样的线路内发生电流。这种现象称为赛贝克效应。它是德国物理学家托马斯·约翰·塞贝克于1821年发现的。
不同的金属（或半导体）具有不同的Seebeck coefficient（所产生赛贝克效应大小不同），半导体与金属的主因略有不同。半导体在不同的温度下具有不同的载流子密度，当单一半导体两端具有温度差时，载子会扩散以消除密度的差异，因而造成电动势。两端的温度相差越大，则产生的赛贝克电位差越大。而金属的自由电子密度与费米能阶几乎不会随温度改变，因此金属的赛贝克效应远小于半导体。金属的赛贝克效应由电子的平均自由程来决定。若平均自由程随温度上升，则热端的自由电子有较高的机会向冷端移动，此时的塞贝克系数为负值。反过来说，若电子的平均自由程随温度上升而下降，则冷端的自由电子有较高的机会流向热端，塞贝克系数为正值。
将两种不同的金属连接，并在两接点给予温度差，两种金属会分别产生各自的温差电动势。选用适当的二种不同金属，利用赛贝克效应可以测量温度；还可利用不同温度进行特别的发电。若使用相同的金属形成回路，则会因为温差造成的电动势互相抵销而无法观察到赛贝克效应。
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