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* 1932年满洲国军政最高顾问

* 1935年中国驻屯军司令官

* 1936年第11师团师团长

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连均（15世纪），字士平，福建建宁府建安县人，明朝政治人物。

连均是永乐十二年（1414年）的举人，次年（1415年）联捷进士，获授云南道监察御史，巡察浙江海道，宣德四年（1429年）升江西布政司右参议，尝负责督查武定州军饷，筹措有方，正统元年（1436年）再升四川布政司左参政，有威惠名声，十三年（1448年）却因为审案时教唆词讼被逮捕。

正统十四年（1449年），连均获升为江西右布政使，景泰二年（1451年）因限制外送岁贡生员被奏请赎杖后恢复原职，辞官回乡后不穿华丽衣服、不置多余田产，人们都称他清介。

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2015年七月，IBM公司宣布通过SiGe工艺制成了7 nanometer级晶体管，有望使晶体管的产量上升三倍。

SiGe材料可让异质接面双极性电晶体整合进CMOS逻辑积体电路，达成混合讯号电路的功能。异质接面双极性电晶体比起同质接面双极性电极体，拥有高顺向增益、低逆向增益、低电流和较好的高频特性等优点。但在异质面技术中，与仅使用硅的技术相比，SiGe这种化合物半导体更容易进行能带调节。

绝缘体上矽锗（Silicon-germanium-on-insulator，缩写为SGOI）是一项类似绝缘体上矽（Silicon-on-insulator，缩写为SOI）的技术，现今被运用在电脑的晶片。SGOI技术可以增加原子间的距离，加快电流流动的速度，以提高微晶片中电晶体的速度。

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