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吴昌衍（15世纪），江西抚州府临川县人，明朝政治人物。
吴昌衍是永乐十五年（1417年）的举人，十九年（1421年）成进士，授盐亭知县，正统元年（1436年）获选于行在都察院问刑，次年升任河南道监察御史，曾弹劾右都御史陈智，又以劳民伤财请不要迁移边城。
正统十一年（1446年），吴昌衍在服丧完毕后调任浙江道监察御史，十三年（1448年）升四川左参政，致仕家居后不轻易与人交往，八十多岁才去世，入祀乡贤祠。
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在经典物理图像中，为了克服势垒，半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能级跳到弯曲的导带顶。穿越势垒所需的能量是内建势及费米能级与导带间偏移的总和。同样对于n型半导体，当中是半导体的电子亲合能（electron affinity），定义为真空能级和导带（CB）能级的差。对于p型半导体，其中是禁带宽度，e是基本电荷。当穿越势垒的激发是热力学的，这一过程称为热发射。真实的接触中一个同等重要的过程既即为量子力学隧穿。WKB近似描述了最简单的包括势垒穿透几率与势垒高度和厚度的乘积指数相关的隧穿图像。对于电接触的情形，耗尽区宽度决定了厚度，其和内建场穿透入半导体内部长度同量级。耗尽层宽度可以通过解泊松方程以及考虑半导体内存在的掺杂来计算:
在MKS单位制是净电荷密度而是介电常数。几何结构是一维的因为界面被假设为平面的。对方程作一次积分，我们得到
积分常数根据耗尽层定义为界面完全被屏蔽的长度。就有
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研究所于1921年成立。著名丹麦理论物理学家尼尔斯·波耳自1914年就在该院校任职。为庆祝波耳的八十岁生日（1965年10月7日），哥本哈根大学理论物理学研究正式成为尼尔斯·波耳研究所。
在1910、20及30年代，该研究所是原子物理学及量子物理学这两个发展中学科研究的中心。欧洲各地的物理学家（有时甚至更外面的）不时都会来研究所来跟波耳商谈新理论及发现。量子力学的哥本哈根诠释就是该时期在这研究所完成的研究。
1962年尼尔斯·波耳逝世后一直由其子奥格·玻尔担任研究所主任，直至奥格·玻尔2009年去世。
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