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张信（9月10日），山西太原人，原天主教太原教区主教。
张信于1931年在洞儿沟入方济各会，次年进入太原大修院。1937年晋铎，此后曾历任阳曲、五台、忻县、圪㙩沟、太原总堂本堂神甫。1942年入读司铎书院，后转入北平辅仁大学。此后，他曾出任太原修道院院长。1981年，由时任中国天主教爱国会主席宗怀德主教祝圣为太原教区正权主教。此外，他还曾任山西省政协委员、太原市人大代表等职。1994年退休。1999年9月10日因病去世，终年88岁。
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高纯度的半导体级多晶硅在一个坩埚（通常是由石英制成）中被加热至熔融状态。诸如硼原子和磷原子的杂质原子可以精确定量地被掺入熔融的硅中，这样就可以使硅变为P型或N型硅。这个掺杂过程将改变硅的电学性质。将晶种（或称“籽晶”）置于一根精确定向的棒的末端，并使末端浸入熔融状态的硅。然后，将棒缓慢地向上提拉，同时进行旋转。如果对棒的温度梯度、提拉速率、旋转速率进行精确控制，那么就可以在棒的末端得到一根较大的、圆柱体状的单晶晶锭。通过研究晶体生长中温度、速度的影响，可以尽量避免不必要的结果。上述过程通常在惰性气体（例如氩）氛围中进行，并采用坩埚这种由较稳定的化学材料制成的反应室。
为了提高半导体工业的生产效率，常常按一定标准规格来生产晶圆。早期的晶棒较小，直径通常只有几英寸。随着技术的进步，高端的制造一起开始使用200毫米甚至300毫米直径的晶圆。要准确地制造这样尺寸的晶圆，必须严格控制工作温度、旋转速度以及晶种棒的提拉速度。用于切割成晶圆的晶锭长达2米，重达几百千克。更大的晶圆可以进一步提升制造效率，这是因为利用单个晶圆能够制造出更多的芯片。这也是人们不断尝试增大硅晶圆尺寸的原因。现在，半导体工业界正在挑战450毫米级别的晶圆，计划在2012年投产。硅晶圆的典型厚度在0.2至0.75毫米之间，通过抛光技术可以使表面更加平滑，这样更适合制造积体电路。此外，通过刻出特定的纹路，晶圆还可以用来制造太阳能电池。
在柴氏法中，工作腔（坩埚）被加热到大约1500摄氏度，这将使硅（熔点：1414摄氏度）熔化。当硅完全熔化时，末端装有晶种的棒被缓慢地下放到熔融状态的硅中。棒以逆时针方向旋转，坩埚以顺时针方向旋转。随后，旋转的棒被极慢地向上提升，这样，近似圆柱体状的硅晶棒就能在下方形成。通过继续提拉，晶棒的长度可以达到1至2米，这取决于坩埚中熔融状态硅的数量。
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传统古希腊军事包扩了大量使用步兵做战。希腊最典形的步兵为希腊重装步兵(Hoplite)组成的民兵，以轻盾兵(Peltast)、弓箭手和骑兵为辅助。方阵步兵通常会以锥形或长方形的方阵(phalanx)前进，而抛矛兵会在两侧搔扰敌人。
一般的方阵是由方阵步兵紧靠着，盾牌放在前方而组成的人墙，在于防卫可以拥有很大的优势，不过缺乏机动性。希腊重装步兵的名字来自于他们使用的圆盾(Hopllon)。由于所有士兵的装备全部都由自己购买，所以士兵缺乏制服，战场误伤的可能性也比较大。
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