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这些专利申请中都没有萧克利的名字。这激怒了萧克利，他认为他的名字也应该在专利上，因为这项工作是基于他的场效应思想。他甚至努力使专利仅以他的名字书写，然后将其意图告诉了Bardeen和Brattain。
由于没有被包括在专利申请中而感到震惊的萧克利，秘密地继续他自己的工作，以接面而不是点接触为基础制造另一种电晶体。他预计这种设计将更有可能在商业上可行。他认为，点接触电晶体将被证明是脆弱且难以制造的。萧克利还对点接触电晶体的工作原理以及某些少数载流子注入的可能性的解释不满意。
1948年2月13日，另一位团队成员John N. Shive建造了一个点接触电晶体，在锗的细楔形物的正反两面都带有青铜触点，证明了电洞可以扩散到整个锗中，而不仅仅是沿表面扩散。Shive的发明激发了 Shockley发明了接面型电晶体。几个月后，他发明了一种全新的，坚固得多的新型电晶体，其层或层“三明治”结构。这种结构一直被用于1960年代的所有电晶体的绝大部分，并发展成为双极接面型电晶体。萧克利后来承认，该团队的工作是“合作与竞争的结合”。他还承认自己一直保密自己的工作，直到1948年希夫（Shive）的前进迫使他“亮明手牌”。萧克利对他所谓的“三明治”电晶体进行了相当完整的描述，并于1949年4月7日获得了第一份原理证明。
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李汝节，字道亨，号新斋，直隶苏州府嘉定县民籍徽州府歙县人，明朝政治人物。
应天府乡试第二十三名举人。嘉靖四十四年（1565年）中式乙丑科会试第五十八名，二甲第十六名进士。大理寺观政，本年六月授安吉知州，隆庆二年（1568年）六月升顺德府同知，三年九月升刑部员外郎，五年正月降饶州府通判，万历元年（1573年）四月升登州府同知，致仕，卒于万历四年（公元1576年）四月十九日。
曾祖李崇庆；祖父李社鼎；父李文邦，母程氏。弟汝简（庠生）、汝箕、汝筠（庠生）、汝笠、汝绍。
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