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多年生肉质草本,茎纤细,匍匐或倾斜,近地面部分容易生根。倒披针形至长圆形的叶子三片轮生。夏季开黄色小花,无柄,疏松的排列在顶端,呈两歧聚伞花序。
分布于日本、朝鲜以及中国大陆的河北、甘肃、福建、陕西、山西、江西、浙江、贵州、河南、湖南、吉林、辽宁、江苏、湖北、四川、北京、山东、安徽等地,生长于海拔500米至1,600米的地区,常生长在山坡阳处以及石上,目前尚未由人工引种栽培。
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* :高句丽的忠臣,主张主和派,与负责外交的伊永为代表性人物,与谈德对立。
* :高句丽16代故国原王的弟弟。谈德的叔公。
* :高武大将军的次子,现都城的副城主。
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对于0 16cm-3左右,先镀Ti接触硅再镀上Ag形成欧姆接触。连同使用其它的反应金属,铝接触通过消耗天然氧化物中的氧来形成。硅化物很大程度上取代了铝(Al)部分因为高折射材料不太倾向于扩散到不希望的地带,特别是在随后的高温处理过程中。
复合半导体接触的形成可以理解比硅接触更为复杂。比如说,砷化镓(GaAs)表面倾向于丢失砷而且这种砷丢失的趋势可以通过沉积金属而被可观的放大。另外,砷的易挥发性限制了沉积后退火时砷化镓器件的承受度。砷化镓及其他复合半导体的一种解决办法是沉积低禁带合金接触层与高掺杂层相对。例如,砷化镓自己比砷化铝镓(AlGaAs)有更小的禁带带宽 所以一层靠近它表面的砷化镓层能促进欧姆行为。总之相比之下,III-V和II-VI半导体欧姆接触技术比硅欧姆接触技术发展较缓。
透明或半透明接触对于主动矩阵液晶显示器LCD、光电器件诸如激光二极管(LD)、发光二极管(LED)及光电管是必要的。最流行的选择是氧化铟锡(ITO),一种通过在氧气环境下溅射铟-锡(In-Sn)靶形成的金属。
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