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直拉法最重要的应用是晶锭、晶棒、单晶硅的生长。其他的半导体,例如砷化镓,也可以利用直拉法进行生长,也有一些其他方法(如布里奇曼-史托巴格法)可以获得更低的晶体缺陷密度。
高纯度的半导体级多晶硅在一个坩埚(通常是由石英制成)中被加热至熔融状态。诸如硼原子和磷原子的杂质原子可以精确定量地被掺入熔融的硅中,这样就可以使硅变为P型或N型硅。这个掺杂过程将改变硅的电学性质。将晶种(或称“籽晶”)置于一根精确定向的棒的末端,并使末端浸入熔融状态的硅。然后,将棒缓慢地向上提拉,同时进行旋转。如果对棒的温度梯度、提拉速率、旋转速率进行精确控制,那么就可以在棒的末端得到一根较大的、圆柱体状的单晶晶锭。通过研究晶体生长中温度、速度的影响,可以尽量避免不必要的结果。上述过程通常在惰性气体(例如氩)氛围中进行,并采用坩埚这种由较稳定的化学材料制成的反应室。
为了提高半导体工业的生产效率,常常按一定标准规格来生产晶圆。早期的晶棒较小,直径通常只有几英寸。随着技术的进步,高端的制造一起开始使用200毫米甚至300毫米直径的晶圆。要准确地制造这样尺寸的晶圆,必须严格控制工作温度、旋转速度以及晶种棒的提拉速度。用于切割成晶圆的晶锭长达2米,重达几百千克。更大的晶圆可以进一步提升制造效率,这是因为利用单个晶圆能够制造出更多的芯片。这也是人们不断尝试增大硅晶圆尺寸的原因。现在,半导体工业界正在挑战450毫米级别的晶圆,计划在2012年投产。硅晶圆的典型厚度在0.2至0.75毫米之间,通过抛光技术可以使表面更加平滑,这样更适合制造积体电路。此外,通过刻出特定的纹路,晶圆还可以用来制造太阳能电池。
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惠尔山(Hverfjall)是冰岛的火山,位于该国北部,属于大西洋洋中脊的一部分,海拔高度420米,由玄武岩组成的山体在西元前2,500年形成,火山口直径约1公里。周长11.2 公里,距离冰岛北部第二大城市阿克雷里70公里左右。山体类型是火山渣锥。如今仍然荒凉无植被。可以等到坑口的小路只有两条,一条在西北部另一条在南部,其他地方禁止攀登,也禁止从任何地方下到坑底。登上坑口后可以看到不远处米湖(Myvatn)全景。
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圣乔治坑(St. George )是月球哈德利-亚平宁区的一座撞击陨石坑。1971年,在阿波罗15号任务第一次舱外活动期间,宇航员大卫·斯科特和詹姆斯·艾尔文曾乘坐月球车驶过疑似它的喷出物覆盖区,他们在该陨坑东北的2号科考点采集了岩样。
圣乔治坑位于哈德利·德尔塔山西侧坡上,距东北的阿波罗15号登月舱着陆点约4公里,它的西北和东北分别坐落了桥梁坑和肘弯坑。
该坑名称于1973年被国际天文联合会正式接受。
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