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音频放大器是由李·德富雷斯特在1912年左右发明,肇因于他在1907年发明了第一个实用的放大电气元件三极真空管,从而促成其事。三极管是一种三端元件,具有一个控制网格,可以调节从灯丝到板子的电子流。三极管真空管放大器被用来制造第一台调幅收音机。早期的音频功率放大器基于真空管,其中一些实现了非常高的音频品质(例如1947至1949年的Williamson amplifier)。
随著1960年代后期廉价电晶体的广泛应用,基于电晶体的音频功率放大器变得实用。自1970年代以来,大多数现代音频放大器都基于固态电晶体,尤其是双极性接面型电晶体(BJT)和金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)。与真空管放大器相比,基于电晶体的放大器重量更轻、更可靠而且需要的维护更少。
MOSFET由Mohamed M. Atalla和Dawon Kahng于1959年在贝尔实验室发明,1974年由日本东北大学的西泽润一改造为用于音频的功率MOSFET。山叶很快就为他们的高传真音频放大器制造出功率MOSFET。JVC、先锋公司、索尼和东芝也在1974年开始制造带有功率MOSFET 的放大器。1977年,日立推出了LDMOS(横向扩散MOS),一种功率MOSFET。日立是1977年至1983年间唯一的LDMOS制造商,在此期间,LDMOS被用于HH Electronics(V 系列)和Ashly Audio等制造商的音频功率放大器,并用于音乐和Public address system。D类放大器在1980年代中期获得成功,当时低成本、快速开关的MOSFET变得可用。许多电晶体放大器在其功率部分使用MOSFET元件,因为它们的失真曲线更像真空管。
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交州总管府是中国唐朝初期设置管理交州的机构,于武德七年(624年)改制为交州都督府。
大唐高祖武德四年(621年),唐将李靖率兵攻下江陵,消灭萧铣割据势力,被萧铣控制的前隋朝交趾太守邱和归依大唐,九真太守黎玉曾引兵抗拒唐朝,为唐军所败,日南太守李皎(《资治通鉴》称李晙)亦于622年归依唐朝。唐朝接手起对交州地区的管理。
大唐高祖武德五年(622年)唐朝设立交州总管府,任命邱和为大总管,并封邱和为谭国公,管理交、峰、爱、仙、鸢、宋、慈、险、道、龙十州。
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