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MOSFET由Mohamed M. Atalla和Dawon Kahng于1959年在贝尔实验室发明，1974年由日本东北大学的西泽润一改造为用于音频的功率MOSFET。山叶很快就为他们的高传真音频放大器制造出功率MOSFET。JVC、先锋公司、索尼和东芝也在1974年开始制造带有功率MOSFET 的放大器。1977年，日立推出了LDMOS（横向扩散MOS），一种功率MOSFET。日立是1977年至1983年间唯一的LDMOS制造商，在此期间，LDMOS被用于HH Electronics（V 系列）和Ashly Audio等制造商的音频功率放大器，并用于音乐和Public address system。D类放大器在1980年代中期获得成功，当时低成本、快速开关的MOSFET变得可用。许多电晶体放大器在其功率部分使用MOSFET元件，因为它们的失真曲线更像真空管。

在2010年代，仍然有音频爱好者、音乐家（尤其是电吉他、电贝斯、哈蒙德电风琴和罗德斯电钢琴等乐器演奏者）、音频工程师和音乐制作人更喜欢基于真空管的放大器，并且认为那是“温暖的”Tube sound。

音频功率放大器的关键设计参数是频率响应、增益、噪声和失真。这些是相互依存的；增加增益通常会导致噪声和失真的不良增加。虽然负反馈实际上降低了增益，但它也减少了失真。大多数音频放大器都是属于AB类的线性放大器。

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Carius卤素定量法（Carius halogen method）是分析化学中一种定量有机物质中卤素含量的方法。

将一已知质量的有机化合物置于玻璃管（又称Carius管）中，在硝酸银的存在下与发烟硝酸（浓度86%~97.5%的硝酸）在炉中共热。化合物中的碳和氢元素会被氧化成二氧化碳和水，生成的卤素离子再转变成卤化银沉淀。经过滤、洗涤、干燥和秤重后，即可定量化合物中的卤素含量。

在没有添加硝酸银的情况，硫和发烟硝酸反应后生成硫酸，再加入氯化钡即可产生硫酸钡沉淀，故Carius法也同样适用于硫的检测。

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卫国的孙蒯在曹隧打猎，饮马于重丘，打破了水瓶。曹国重丘人关起门来骂孙蒯，说他父亲孙林父亲自赶走国君卫献公，孙蒯不为这个担忧，为什么来打猎。孙蒯大怒，前556年（周灵王十六年、鲁襄公十七年、曹成公二十二年、卫殇公三年、晋平公二年）夏，卫国的孙蒯和石买率兵进攻曹国，占取了重丘。曹国向晋国状告卫国。

前547年（周灵王二十五年、鲁襄公二十六年、曹武公八年、卫殇公十二年、晋平公十一年、宋平公二十九年、郑简公十九年），卫国宁喜杀卫殇公，立卫献公复辟。六月，鲁襄公和晋国赵武、宋国向戌、郑国良霄、曹国人在澶渊会见，以讨伐卫国，划正戚地的疆界。当时卫献公参加了会见。晋国人拘捕了宁喜、北宫遗。卫献公去到晋国，晋国人抓了他关闭在士弱家里。

前498年（周敬王二十二年、鲁定公十二年、曹伯阳四年、卫灵公三十七年）夏，卫国的公孟𫸩领兵攻打曹国，攻下郊地。回军时，滑罗殿后。没有离开曹国，滑罗不退于列。他的御者说：“殿后而待在队列里，恐怕是无勇吧！”滑罗说：“与其空有勇猛之名，宁可让人说我无勇。”前497年（周敬王二十三年、鲁定公十三年、曹伯阳五年、卫灵公三十八年）夏，卫公孟𫸩再次领兵攻打曹国。

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