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奥托二世，阿斯坎尼王朝勃兰登堡第三位藩侯（1184年—1205年在位）。大熊阿尔布雷希特一世之孙，奥托一世与第一任妻子朱迪斯的长子。
1184年，父亲奥托一世逝世后，奥托二世继承为勃兰登堡藩侯。当他接替他的父亲后，他提高了勃兰登堡的国防和预算，并发动了对斯拉夫人和丹麦的克努特六世的战争。在1198年至1199年的冬天，他摧毁了丹麦的占领波美拉尼亚，并于翌年巩固了新的占领区，此行动进逼吕根岛及威胁到汉堡。在1200年至1203年间，他支持霍亨斯陶芬王朝士瓦本的菲利普对抗神圣罗马帝国皇帝奥托四世。
1205年，奥托二世逝世，死后无嗣。其同父异母弟阿尔布雷希特二世继承为勃兰登堡藩侯。
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对于0 16cm-3左右，先镀Ti接触硅再镀上Ag形成欧姆接触。连同使用其它的反应金属，铝接触通过消耗天然氧化物中的氧来形成。硅化物很大程度上取代了铝（Al）部分因为高折射材料不太倾向于扩散到不希望的地带，特别是在随后的高温处理过程中。
复合半导体接触的形成可以理解比硅接触更为复杂。比如说，砷化镓（GaAs）表面倾向于丢失砷而且这种砷丢失的趋势可以通过沉积金属而被可观的放大。另外，砷的易挥发性限制了沉积后退火时砷化镓器件的承受度。砷化镓及其他复合半导体的一种解决办法是沉积低禁带合金接触层与高掺杂层相对。例如，砷化镓自己比砷化铝镓（AlGaAs）有更小的禁带带宽 所以一层靠近它表面的砷化镓层能促进欧姆行为。总之相比之下，III-V和II-VI半导体欧姆接触技术比硅欧姆接触技术发展较缓。
透明或半透明接触对于主动矩阵液晶显示器LCD、光电器件诸如激光二极管（LD）、发光二极管（LED）及光电管是必要的。最流行的选择是氧化铟锡（ITO），一种通过在氧气环境下溅射铟-锡（In-Sn）靶形成的金属。
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姜洪（J），字希范，直隶广德州（今安徽省广德县）人。明朝政治人物，成化戊戌进士，官至山西巡抚。
早年出身国子生，成化元年（1465年）中式乙酉科应天乡试第二十七名举人。成化十四年（1478年），参加戊戌科会试，得贡士第一百六名。殿试登进士第三甲第四十七名，授卢氏知县，升贵州道监察御史。明孝宗继位后，多次陈言远离中官。弘治元年，出按湖广，与漕运都御史秦纮相争被弹劾，虽经查无罪，但因刘吉从中为梗，贬为夏县知县。历升桂林府知府，平定叛乱，升云南参政。历山东左参政。
武宗正德二年，升任山西布政使，因刘瑾索贿不成，被令致仕。刘瑾被诛后，起用为山东左布政使。正德七年（1512年），以都察院右副都御史巡抚山西，在任不到一年就去世。姜洪生性廉直，死后甚至无钱办丧事。熹宗天启初年，追谥庄介。
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