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加尔巴哈雷（Garbaaharey）是东非国家索马里的城市，也是是索马里面积第二大、人口第六大的州——盖多州的首府，位于朱巴河以西，距离邻国肯尼亚约130公里，人口约43,000。由于人口较少和缺乏农业活动，加尔巴哈雷的人口增长速度低于国内其他地区。索马里第三任，也是索马里在位最长的总统穆罕默德·西亚德·巴雷为在意属索马里殖民政府警察中谋职，曾宣称出生于加尔巴哈雷。该城为戈戈尔（Gogol）山脉环绕。
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在金属中由于有大量电子移动抵消外加电场，外加的电场能使金属表层的电荷分布发生改变。然而，在半导体中，正负电荷的密度较低，无法完全抵消外加电场，所以外加电场会在半导体材料表面附近改变材料的导电性，这被称为“场效应”。场效应应用于肖特基二极管，场效应晶体管（主要指的是MOSFET，JFET和MESFET）。
在外加电场的作用下，接近半导体表面一定深度下的电子能级发生改变，这导致了材料表面的导电性发生改变，也使得材料表面区域的电子能占有的能级发生变化。这种效应具有代表性的表征方式是“能带弯曲图”。能带弯曲图表征了材料表面的能带边界Ef, Ec, Ev与进入材料深度x之间的关系。
如右图所示一个典型的能带弯曲图。为了简化，能带中的能量单位是eV，电压的单位是V，避免了引入参数q作为单位电荷。右图中显示的是一个双层结构，左边是绝缘体层，右边是半导体层。一个使用类似结构的例子是MOS电容，一个双端的结构，一边是金属栅极端，一边是半导体材料（比如硅）端，中间夹着一层绝缘层（比如氧化硅）。右图中，左边的子图显示出了导带的最低能级（Conduction Edge）和价带的最高能级（Valence Edge）。这些能带在外加电压V的作用下发生弯曲。依照习惯，图中显示的是电子的拥有能量，所以一个正电压作用于半导体材料会使材料表面的能带向下弯曲。虚线表示的是能级占有情况费米能级Ef：低于Ef倾向于被电子占领，导带在外加电压作用下向下弯曲更加接近Ef，表明在接近绝缘层的地方导带中存在更多的电子。
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1982年1月6日，深圳市政府全额出资组建深圳市信托投资公司。
1984年6月，更名为深圳国际信托投资公司。1985年11月，迁址到深圳市人民南路国商大厦。
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