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诬告江夏太守刁嘉「谤讪」，孙权向百官调查，百官都不敢违逆吕壹，纷纷赞同。只有是仪表示没听过此事。最后因为是仪的坚持，刁嘉方得以无事。

后陷害宰相顾雍，黄门侍郎谢厷去向吕探问消息，吕壹表示不乐观。但是谢厷却巧言，只要顾雍被免官，将由潘濬接任宰相。吕壹畏惧潘濬，只好放过顾雍。潘濬每次见孙权力陈吕壹奸险，使吕壹受到的宠幸逐渐衰微。

吕壹控告身为左将军的朱据私吞军饷，拷打朱据幕府管理财务的军官，并将该官打死。朱据怜其屈死狱中，为该官安葬。却被吕壹认定是心虚的证据。朱据只好自我监禁，等候孙权审查。后来孙权发现朱据是清白的，于是说：「连朱据都会被诬告，何况一般的官吏百姓呢？」愤而将吕壹处死。

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林春泽，字德敷，号旗峰，福建侯官（今福州闽侯）人，明朝政治人物，同进士出身。

正德九年（1514年）登甲戌科进士，官户部主事，迁户部临清运河钞关员外郎。明武宗南巡时，凡直谏者，一律廷杖罚跪，经春泽上疏救之，才让他们免于刑罚。平虏伯江彬的随从人员，时常依仗江彬的权势滥用职权、作威作福，春泽为人持守公正正派，不迎合阿谀，就连江彬本人也惧怕他的刚直。后因司藏失盗，谪宁州县丞，不久，改任吉州县丞，升广东肇庆府同知。任内倭寇侵扰高州，平乱后擢为南京刑部郎中，出知贵州程番府知府，后遭人嫉忌中伤遣归。春泽精通《礼经》，学者皆事春泽为师。其所作之诗词多宏大雄伟，为礼部尚书林燫所称道。享嵩寿一百零四岁。明代士大夫寿至百岁者，就只有林春泽与刘伯渊二人而已。

春泽家世显赫，从祖父林克万至曾孙林慎，世代为官、春泽历成化、弘治、正德、嘉靖、隆庆、万历六朝，人称其家“三世琼林第，六朝大老家”。

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音频放大器是由李·德富雷斯特在1912年左右发明，肇因于他在1907年发明了第一个实用的放大电气元件三极真空管，从而促成其事。三极管是一种三端元件，具有一个控制网格，可以调节从灯丝到板子的电子流。三极管真空管放大器被用来制造第一台调幅收音机。早期的音频功率放大器基于真空管，其中一些实现了非常高的音频品质（例如1947至1949年的Williamson amplifier）。

随著1960年代后期廉价电晶体的广泛应用，基于电晶体的音频功率放大器变得实用。自1970年代以来，大多数现代音频放大器都基于固态电晶体，尤其是双极性接面型电晶体（BJT）和金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）。与真空管放大器相比，基于电晶体的放大器重量更轻、更可靠而且需要的维护更少。

MOSFET由Mohamed M. Atalla和Dawon Kahng于1959年在贝尔实验室发明，1974年由日本东北大学的西泽润一改造为用于音频的功率MOSFET。山叶很快就为他们的高传真音频放大器制造出功率MOSFET。JVC、先锋公司、索尼和东芝也在1974年开始制造带有功率MOSFET 的放大器。1977年，日立推出了LDMOS（横向扩散MOS），一种功率MOSFET。日立是1977年至1983年间唯一的LDMOS制造商，在此期间，LDMOS被用于HH Electronics（V 系列）和Ashly Audio等制造商的音频功率放大器，并用于音乐和Public address system。D类放大器在1980年代中期获得成功，当时低成本、快速开关的MOSFET变得可用。许多电晶体放大器在其功率部分使用MOSFET元件，因为它们的失真曲线更像真空管。

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