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更新于 2026-10-17

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散兵坑是依照军事需求在特定地点以人工的方式所建筑的工事。它亦可以是敌我双方炮击或空袭形成的弹坑,也可以为人工挖掘,通常较少天然的散兵坑。

散兵坑有点类似单人战壕,其用途也与壕沟相去不远。第二次世界大战中,美军及德军双方都挖掘了大量的散兵坑,这些散兵坑对於单兵来讲往往具有防弹的功能。

通常一个散兵坑中会有一名以上持有步枪的步兵,在防线上某些特定地点的散兵坑会置机枪或迫击炮(小口径)、反器材步枪、无后座力砲、火箭筒等武器。散兵坑防线前方通常布有地雷,用以增加敌军攻击的困难度。有时还会为了作战需要在防线上布置军用拒马或铁丝网,这些对敌人来说都是非常头痛的。

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* 二级铁十字勋章 (1942年6月2日)

* 一级铁十字勋章 (1942年8/9月)

* Ehrenpokal der Luftwaffe (1943年1月26日)

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音频放大器是由李·德富雷斯特在1912年左右发明,肇因于他在1907年发明了第一个实用的放大电气元件三极真空管,从而促成其事。三极管是一种三端元件,具有一个控制网格,可以调节从灯丝到板子的电子流。三极管真空管放大器被用来制造第一台调幅收音机。早期的音频功率放大器基于真空管,其中一些实现了非常高的音频品质(例如1947至1949年的Williamson amplifier)。

随著1960年代后期廉价电晶体的广泛应用,基于电晶体的音频功率放大器变得实用。自1970年代以来,大多数现代音频放大器都基于固态电晶体,尤其是双极性接面型电晶体(BJT)和金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)。与真空管放大器相比,基于电晶体的放大器重量更轻、更可靠而且需要的维护更少。

MOSFET由Mohamed M. Atalla和Dawon Kahng于1959年在贝尔实验室发明,1974年由日本东北大学的西泽润一改造为用于音频的功率MOSFET。山叶很快就为他们的高传真音频放大器制造出功率MOSFET。JVC、先锋公司、索尼和东芝也在1974年开始制造带有功率MOSFET 的放大器。1977年,日立推出了LDMOS(横向扩散MOS),一种功率MOSFET。日立是1977年至1983年间唯一的LDMOS制造商,在此期间,LDMOS被用于HH Electronics(V 系列)和Ashly Audio等制造商的音频功率放大器,并用于音乐和Public address system。D类放大器在1980年代中期获得成功,当时低成本、快速开关的MOSFET变得可用。许多电晶体放大器在其功率部分使用MOSFET元件,因为它们的失真曲线更像真空管。

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