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使用传统的矽半导体器件制造技术，即可在晶圆上形成SiGe。在CMOS制程方面，SiGe制程的成本和矽制程相当，但在异质接面技术方面，SiGe制程的成本比砷化镓制程还要低。近来，使用有机金属气相磊晶 （MOVPE）沉积高纯度的含Ge薄膜、SiGe和应变矽时，会使用只有少量危害的液体来当做替代物，像有机锗化合物前体（如：异丁基锗烷、三氯锗烷、二甲氨基三氯锗烷）。
拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司：国际商务机器（IBM）、意法半导体（STMicroelectronics）、台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）、飞思卡尔（Freescale，原本的摩托罗拉半导体部门）、索尼（Sony）、Atmel、Chartered Semiconductor Manufacturing、Micrel、英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）、IHP、Jazz Semiconductor，原本的胜讯（Conexant）。超微半导体（AMD）有意加入IBM的SiGe应变矽技术开发计划，让技术迈入65nm级规模。
2015年七月，IBM公司宣布通过SiGe工艺制成了7 nanometer级晶体管，有望使晶体管的产量上升三倍。
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唐高祖武德元年（618年）改汾阴郡置泰州，治所在汾阴县（今山西万荣县西南宝井），属于绛州总管府，下辖汾阴县、龙门县。武德二年（619年）徙治龙门县（今山西河津市）。辖境相当今万荣、河津等县市地。武德三年（620年）设万泉县（今山西万荣县万泉乡），武德四年（621年），属陕东道行台。武德五年（622年），设万春县（今山西河津市僧楼镇张吴村）。武德九年（626年）属蒲州都督府。贞观元年（627年）属关内道，贞观二年（628年）属河东道，贞观十七年（643年）省泰州，废万春县，万泉县、龙门县属于绛州，汾阴县属于蒲州。
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《我们共视的难题》描绘的是非裔美国人露比·布里奇斯（Ruby Bridges）于1960年11月14日通学期间遭受的袭击景象。露比·布里奇斯当时正在前往一所仅限白人就读的公立学校，由于暴力威胁，她由四名法警护送。
画面中，露比·布里奇斯身后的墙上写有种族歧视词语“黑鬼（Nigger）”以及“KKK（即三K党）”，有人试图用西红柿袭击她，但砸在了墙上。
应露比·布里奇斯本人建议，时任美国总统奥巴马在2011年7月到10月将油画《我们共视的难题》挂在白宫内。
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