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战后布拉顿返回贝尔实验室加入实验室新成立的固态部门之内的半导体小组，威廉·肖克利是半导体小组的主管，早在1946年，肖克利初步开始研究半导体并尝试制造一个实用的固态放大器。

纯半导体的晶体（例如矽或锗）在室温下非常缺乏传导载子，因为一个电子的能量十分地大于一个电子在如此的一块晶体所能获得的热能量是为了占据传导能量阶层。对半导体加热可以激发电子进入传导状态，但更有实用价值的是借由掺入杂质进去晶体以增加导电度，一块晶体可能掺杂少量的元素有比半导体更多的电子，这些过量电子将自由的在晶体内移动穿梭，这样的一块晶体是一种N型半导体。一种是可能掺杂少量的元素到晶体内有比半导体更少的电子并且电子空缺，或电洞，将自由移动穿梭于晶体就像是带正电荷的电子，这样一块已掺杂的晶体是一种P型半导体。

在半导体的表面，传导带的能量可以被改变，将增加或减少晶体的导电度。金属与N型或P型半导体之间的接合面或两种类型的半导体之间有不对称的导电性质，并且半导体接合面可以因此被用于改变电流。在一个整流器，在低电阻方向施加电压偏压产生电流是一种顺向偏压，当偏压于相对方向是一种反向偏压。

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在集集大地震中，车笼埔断层在地表产生了达百公里的破裂面，北起苗栗县卓兰镇内湾、双崎，南至南投县竹山镇桶头，最大水平和垂直位移量达9公尺和6公尺。在断层的东侧是上新世锦水页岩和卓兰层；西侧则是更新世头嵙山层和冲积层。断层的主要滑动面在近地表大致沿著锦水页岩或卓兰层，东侧的岩层向西北逆冲。

在台中市东势区埤丰桥以北，断层分叉成数条大致平行的小断层，走向呈现东西向和东北向，倾角大约在40-50度之间，主要型态为走向滑移伴随逆冲。在埤丰桥以南，断层逐渐由东北-西南向转为南北向，地表破裂带主要沿著麓山带前缘，断层依然以走向滑移伴随逆冲的型态为主。到台中市雾峰区以南，断层型逐渐转变为以逆冲为主，没有明显的走向滑移分量，此段断层倾角在25-80度之间。

在南投以南，断层的走向滑移分量逐渐出现，断层倾角在30-60度之间。到南投县竹山镇瑞竹以南，断层型态改以走向滑移为主，倾角大于70度，位移量也逐渐缩小，在南投竹山镇桶头逐渐失去明显的地表变形。

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曹髦即位后，鲁芝被赐为关内侯，封邑二百户。毌丘俭叛乱被平定后，鲁芝增封邑二百户，官拜扬武将军、荆州刺史。诸葛诞占寿春反叛，司马昭奉魏帝出征，征兵四方，鲁芝率荆州文武为先驱。诸葛诞被平定以后，晋升为武进亭侯，增加封邑九百户。升任大尚书，掌管刑法。曹奂即位后，晋升为斄城乡侯，增加封邑八百户，升任监青州诸军事、振武将军、青州刺史，后转任平东将军。五等爵位制度设立后，鲁芝被封为阴平伯。

晋武帝司马炎登基以后，鲁芝转任镇东将军，进爵为侯。因鲁芝清廉端正，从不置办家宅，于是晋武帝遣军士为他建了五十间房屋。鲁芝以年事已高为由，请求告老让位，上了十多次奏章，最后被征为光禄大夫，特进职位，赐予随行吏卒，门外设车马伺候。羊祜被封为车骑将军时，他想把职位让给鲁芝，说：“鲁芝一向廉洁清心寡欲，为人谦和而又从不苟同，恪尽职守直至白发，自始至终礼孝朝廷，然而他没有获得这殊荣，我职位却超越了他，怎么会消除天下人对我的怨恨呢？”司马炎没听从其言。

泰始九年（公元273年）鲁芝逝世，享寿八十四岁。加封谥号为贞，赐墓地百亩。

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