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伊懋可（John Mark Dutton Elvin, ）是一位澳大利亚汉学家，主攻中国社会经济史和环境史。
1938年出生于英国剑桥，父亲是英国教育理论家，毕业于牛津龙学校和剑桥大学国王学院。先后任教于格拉斯哥大学、牛津大学圣安东尼学院、巴黎高等师范学院和海德堡大学。1990年任教于澳大利亚国立大学担任亚太研究院中国史教授。曾提出高水平均衡陷阱理论解释工业革命为什么发生在欧洲而不是中国。
* 《大象的退却》，江苏人民出版社，2014年12月，9787214133090
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对于0 16cm-3左右，先镀Ti接触硅再镀上Ag形成欧姆接触。连同使用其它的反应金属，铝接触通过消耗天然氧化物中的氧来形成。硅化物很大程度上取代了铝（Al）部分因为高折射材料不太倾向于扩散到不希望的地带，特别是在随后的高温处理过程中。
复合半导体接触的形成可以理解比硅接触更为复杂。比如说，砷化镓（GaAs）表面倾向于丢失砷而且这种砷丢失的趋势可以通过沉积金属而被可观的放大。另外，砷的易挥发性限制了沉积后退火时砷化镓器件的承受度。砷化镓及其他复合半导体的一种解决办法是沉积低禁带合金接触层与高掺杂层相对。例如，砷化镓自己比砷化铝镓（AlGaAs）有更小的禁带带宽 所以一层靠近它表面的砷化镓层能促进欧姆行为。总之相比之下，III-V和II-VI半导体欧姆接触技术比硅欧姆接触技术发展较缓。
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的邮政编码为P281，INSEE市镇编码为P374。
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