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* 陈建国 (1958年),中国政治人物,云南省财政厅厅长,第十一届全国人大代表
* 陈建国 (药理学家)(1963—),中国药理学家,同济医学院党委书记、院长
* 陈建国 (1970年),中国政治人物,甘肃省有色金属地质勘查局局长
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* 总长代行・ 村松顺司 (村松组组长)
* 若头代行、庆吊委员长・稻井田成俊(稻井田组组长)
* 若头补佐、渉外委员长・竹田仁志(竹田组组长)
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2015年七月,IBM公司宣布通过SiGe工艺制成了7 nanometer级晶体管,有望使晶体管的产量上升三倍。
SiGe材料可让异质接面双极性电晶体整合进CMOS逻辑积体电路,达成混合讯号电路的功能。异质接面双极性电晶体比起同质接面双极性电极体,拥有高顺向增益、低逆向增益、低电流和较好的高频特性等优点。但在异质面技术中,与仅使用硅的技术相比,SiGe这种化合物半导体更容易进行能带调节。
绝缘体上矽锗(Silicon-germanium-on-insulator,缩写为SGOI)是一项类似绝缘体上矽(Silicon-on-insulator,缩写为SOI)的技术,现今被运用在电脑的晶片。SGOI技术可以增加原子间的距离,加快电流流动的速度,以提高微晶片中电晶体的速度。
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