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《2》是日本女性创作歌手石川智晶的第4张（总计第5张）单曲。2007年11月21日由Flying DOG（JVC Entertainment）发行。
此外，这首歌曲的日文念法不是通常的「にぶんのいち」，而是「一半（半分／はんぶん）」
《2》是自从石川的第一张专辑《仆はまだ何も知らない。》发行之后的首张单曲和2007年度单曲的第3弹。该歌曲曾被2007年10月至2008年3月在TBS、BS-i播出的电视动画《逮捕令 全速前进》当作片尾主题歌曲起用。至于歌词的内容主题描述同名作品系列主角辻本夏实、小早川美幸她们两人的友情。
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* 马尔库斯·尤利乌斯·布鲁图斯，谋杀恺撒之人
* 盖乌斯·卡西乌斯·朗基努斯，谋杀恺撒的主谋
* 史高，西汉为大司马、车骑将军，领尚书事、乐陵侯，汉宣帝表叔
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在金属中由于有大量电子移动抵消外加电场，外加的电场能使金属表层的电荷分布发生改变。然而，在半导体中，正负电荷的密度较低，无法完全抵消外加电场，所以外加电场会在半导体材料表面附近改变材料的导电性，这被称为“场效应”。场效应应用于肖特基二极管，场效应晶体管（主要指的是MOSFET，JFET和MESFET）。
在外加电场的作用下，接近半导体表面一定深度下的电子能级发生改变，这导致了材料表面的导电性发生改变，也使得材料表面区域的电子能占有的能级发生变化。这种效应具有代表性的表征方式是“能带弯曲图”。能带弯曲图表征了材料表面的能带边界Ef, Ec, Ev与进入材料深度x之间的关系。
如右图所示一个典型的能带弯曲图。为了简化，能带中的能量单位是eV，电压的单位是V，避免了引入参数q作为单位电荷。右图中显示的是一个双层结构，左边是绝缘体层，右边是半导体层。一个使用类似结构的例子是MOS电容，一个双端的结构，一边是金属栅极端，一边是半导体材料（比如硅）端，中间夹着一层绝缘层（比如氧化硅）。右图中，左边的子图显示出了导带的最低能级（Conduction Edge）和价带的最高能级（Valence Edge）。这些能带在外加电压V的作用下发生弯曲。依照习惯，图中显示的是电子的拥有能量，所以一个正电压作用于半导体材料会使材料表面的能带向下弯曲。虚线表示的是能级占有情况费米能级Ef：低于Ef倾向于被电子占领，导带在外加电压作用下向下弯曲更加接近Ef，表明在接近绝缘层的地方导带中存在更多的电子。
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