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1282年，阿尔布雷希特从父亲（鲁道夫一世）处获得奥地利和施蒂里亚领地。但是于1283年6月签订的莱茵费尔登条约订下鲁道夫二世需要放弃奥地利及施蒂里亚公国，由阿尔布雷希特一世单独管理，鲁道夫二世没有王位继承权。根据条约内容，鲁道夫二世将得到委任为士瓦本公爵（只是一个虚衔，1268年康拉丁被处决后，士瓦本已没有实际君主）管理外奥地利的零散领地以作补偿，但是鲁道夫二世实际是从未得到这些领地。
鲁道夫一世不能为阿尔布雷希特一世争取继承罗马人民的国王。鲁道夫一世于1291年去世后，德意志诸侯拒绝接受阿尔布雷希特继承王位，他们选出拿骚的阿道夫为罗马人民的国王。在此之前，鲁道夫一世于1290年密谋由阿尔布雷希特一世继承被谋杀的拉斯洛四世的匈牙利王位，亦遭受挫败。
阿尔布雷希特一世并未放弃王位。终于在1298年，由一些德意志诸侯支持下，推翻了阿道夫并取而代之成为罗马人民的国王。虽然教皇波尼法爵八世已于1303年承认阿尔布雷希特一世为神圣罗马帝国皇帝，但他从未加冕。
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直拉法最重要的应用是晶锭、晶棒、单晶硅的生长。其他的半导体，例如砷化镓，也可以利用直拉法进行生长，也有一些其他方法（如布里奇曼-史托巴格法）可以获得更低的晶体缺陷密度。
高纯度的半导体级多晶硅在一个坩埚（通常是由石英制成）中被加热至熔融状态。诸如硼原子和磷原子的杂质原子可以精确定量地被掺入熔融的硅中，这样就可以使硅变为P型或N型硅。这个掺杂过程将改变硅的电学性质。将晶种（或称“籽晶”）置于一根精确定向的棒的末端，并使末端浸入熔融状态的硅。然后，将棒缓慢地向上提拉，同时进行旋转。如果对棒的温度梯度、提拉速率、旋转速率进行精确控制，那么就可以在棒的末端得到一根较大的、圆柱体状的单晶晶锭。通过研究晶体生长中温度、速度的影响，可以尽量避免不必要的结果。上述过程通常在惰性气体（例如氩）氛围中进行，并采用坩埚这种由较稳定的化学材料制成的反应室。
为了提高半导体工业的生产效率，常常按一定标准规格来生产晶圆。早期的晶棒较小，直径通常只有几英寸。随着技术的进步，高端的制造一起开始使用200毫米甚至300毫米直径的晶圆。要准确地制造这样尺寸的晶圆，必须严格控制工作温度、旋转速度以及晶种棒的提拉速度。用于切割成晶圆的晶锭长达2米，重达几百千克。更大的晶圆可以进一步提升制造效率，这是因为利用单个晶圆能够制造出更多的芯片。这也是人们不断尝试增大硅晶圆尺寸的原因。现在，半导体工业界正在挑战450毫米级别的晶圆，计划在2012年投产。硅晶圆的典型厚度在0.2至0.75毫米之间，通过抛光技术可以使表面更加平滑，这样更适合制造积体电路。此外，通过刻出特定的纹路，晶圆还可以用来制造太阳能电池。
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