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1879年滋贺县实施郡区町村编制法时，正式设置近代的行政区划「三方郡」，并在佐柿村（位于现在的美滨町）设置郡役所。
* 1889年4月1日：实施町村制，三方郡下设：八村、十村、田井村、西浦村、西乡村、耳村、山东村。（7村）
* 1891年4月1日：实施郡制，郡役所设于耳村 。
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* 晋武帝太康元年（280年）置下邳国，下邳县为国都。
* 晋成帝咸和元年（326年），刘闽杀下邳内史夏侯嘉降石勒，下邳归入后赵，改置下邳郡。
* 北魏孝明帝孝昌元年（525年），置东徐州，治下邳县。
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复合半导体接触的形成可以理解比硅接触更为复杂。比如说，砷化镓（GaAs）表面倾向于丢失砷而且这种砷丢失的趋势可以通过沉积金属而被可观的放大。另外，砷的易挥发性限制了沉积后退火时砷化镓器件的承受度。砷化镓及其他复合半导体的一种解决办法是沉积低禁带合金接触层与高掺杂层相对。例如，砷化镓自己比砷化铝镓（AlGaAs）有更小的禁带带宽 所以一层靠近它表面的砷化镓层能促进欧姆行为。总之相比之下，III-V和II-VI半导体欧姆接触技术比硅欧姆接触技术发展较缓。
透明或半透明接触对于主动矩阵液晶显示器LCD、光电器件诸如激光二极管（LD）、发光二极管（LED）及光电管是必要的。最流行的选择是氧化铟锡（ITO），一种通过在氧气环境下溅射铟-锡（In-Sn）靶形成的金属。
接触电阻相关联的RC时间常数会限制器件的频率响应。引线电阻的充电与放电高时钟速率的数字电子设备能量耗散的主要原因。接触电阻在非常见半导体制成的低频和模拟电路中通过焦耳热的形式导致能量耗散（比如太阳能电池）。金属接触制备方法的建立是任何新兴半导体科技发展的重要部分。金属接触的电迁移与分离成层也是电子器件寿命的限制因素之一。
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