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更新于 2026-10-07

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闸极驱动器(gate driver)是一种功率放大器,可以让控制集成电路产生的小功率讯号来驱动功率晶体(例如IGBT或是power MOSFE)的闸极。闸极驱动器可能是附在功率晶体上,也有可能是独立的元件。闸极驱动器会包括位准转换器以及放大器电路。

MOSFET和双极性晶体管不同,MOSFET在没有切换(切换导通或是切换关断)时,不需要固定的功率输入。MOSFET的隔离闸极会形成电容器(闸极电容),在每一次切换导通或关闭时,会需要充电或放电。电晶体的基极至少需要特定的电压才能导通,同様的,闸极电容需要一定的电压才能充电,让晶体导通。同样的,若要关断晶体,也需要释放电容器上的电荷,因此闸极电容也需要放电。

在功率晶体导通或是关断,不会立刻就切换到完全导通或是完全不导通的状态,切换过程中可能会有短暂时间通过大电流,且功率晶体上有较大的电压。因此在切换时会使晶体发热,若控制不当,甚至会破坏功率晶体。因此有需要使切换时间越短越好,以降低其切换损失。一般的切换时间约在微秒等级。晶体的切换时间和驱动闸极需要的电流成反比。因此切换电流一般会要求在数百mA的等级,甚至会到数安培的大小,因为一般的闸极电压会在10-15V之间,切换时会需要消耗数瓦特的功率。假如需要高速的切换大电流,例如直流-直流转换器或是大型的电动机,会将数个功率晶体并联,以提供够大的切换电流及功换功率。

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汉南陵为汉朝皇家陵寝之一,为汉文帝母亲薄太后墓。位于今陕西省西安市灞桥区狄寨街道鲍旗寨村西北八百米处。

前173年,开始修建。因为吕后已经和父亲汉高帝刘邦合葬汉长陵,所以汉文帝为母亲特自起陵。因为在文帝霸陵之南,故被称为「南陵」。

陵墓封土为覆斗形,底部东西140米,南北长173米,封土高24米。顶部东西40米,南北55米。晋愍帝建兴三年(315年),被盗掘。

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* 8 作词:安井一美/作曲:加藤和彦/编曲:清水信之/演唱:饭岛真理

* 原画:稲野义信、饭田史雄、北久保弘之、竜の子アニメ研究所

* 制作协力:竜の子プロダクション、游エンターテイメント、アニメフレンド

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