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沈成平9月4日，男，汉族，现任复旦大学二级教授、博士生导师。
2001年7月毕业于安徽师范大学物理系获学士学位，2004年7月于南京师范大学获硕士学位，2007年7月于中国科学院高能物理研究所获博士学位。2007年7月至2011年4月，在美国夏威夷大学物理系作博士后研究助理。2011年5月至2013年3月，在日本名古屋大学物理学院任助理教授。2013年3月至2019年3月，任北京航空航天大学物理科学与核能工程学院教授。2019年3月调至复旦大学，任现代物理研究所教授。
主要研究领域为高能物理实验，曾担任BESIII合作组理事委员会主席，Belle II合作组粲偶素物理组物理召集人。主持自然科学基金面上项目、自然科学基金国际交流合作项目、973子课题等科研项目多项，研究成果曾获2014年北京市科学技术奖二等奖。在Physics Reports、Physical Review Letters、Physical Review D等期刊发表论文80余篇。2013年入选国家高层次人才青年计划，2020年入选科技部中青年科技创新领军人才和国家万人计划科技领军人才。
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在金属中由于有大量电子移动抵消外加电场，外加的电场能使金属表层的电荷分布发生改变。然而，在半导体中，正负电荷的密度较低，无法完全抵消外加电场，所以外加电场会在半导体材料表面附近改变材料的导电性，这被称为“场效应”。场效应应用于肖特基二极管，场效应晶体管（主要指的是MOSFET，JFET和MESFET）。
在外加电场的作用下，接近半导体表面一定深度下的电子能级发生改变，这导致了材料表面的导电性发生改变，也使得材料表面区域的电子能占有的能级发生变化。这种效应具有代表性的表征方式是“能带弯曲图”。能带弯曲图表征了材料表面的能带边界Ef, Ec, Ev与进入材料深度x之间的关系。
如右图所示一个典型的能带弯曲图。为了简化，能带中的能量单位是eV，电压的单位是V，避免了引入参数q作为单位电荷。右图中显示的是一个双层结构，左边是绝缘体层，右边是半导体层。一个使用类似结构的例子是MOS电容，一个双端的结构，一边是金属栅极端，一边是半导体材料（比如硅）端，中间夹着一层绝缘层（比如氧化硅）。右图中，左边的子图显示出了导带的最低能级（Conduction Edge）和价带的最高能级（Valence Edge）。这些能带在外加电压V的作用下发生弯曲。依照习惯，图中显示的是电子的拥有能量，所以一个正电压作用于半导体材料会使材料表面的能带向下弯曲。虚线表示的是能级占有情况费米能级Ef：低于Ef倾向于被电子占领，导带在外加电压作用下向下弯曲更加接近Ef，表明在接近绝缘层的地方导带中存在更多的电子。
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《邪恶之途》（Plokhiye dorogi，Погані дороги）是2020年上映的乌克兰俄语剧情片，由纳塔莉亚·沃罗日比特执导，于9月3日在威尼斯影展的国际影评人周举行首映，2021年5月20日在乌克兰上映。本片以顿巴斯战争为主题，由4个发生在战地的小故事组成。
2020年《邪恶之途》获第三届Кіноколо (премія)的开年奖、最佳男演员奖（Yuri Kulinich）与最佳女演员奖（Oksana Cherkashina）；2021年9月，本片代表乌克兰角逐当年的奥斯卡最佳国际影片奖。
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