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MOSFET和双极性晶体管不同，MOSFET在没有切换（切换导通或是切换关断）时，不需要固定的功率输入。MOSFET的隔离闸极会形成电容器（闸极电容），在每一次切换导通或关闭时，会需要充电或放电。电晶体的基极至少需要特定的电压才能导通，同様的，闸极电容需要一定的电压才能充电，让晶体导通。同样的，若要关断晶体，也需要释放电容器上的电荷，因此闸极电容也需要放电。

在功率晶体导通或是关断，不会立刻就切换到完全导通或是完全不导通的状态，切换过程中可能会有短暂时间通过大电流，且功率晶体上有较大的电压。因此在切换时会使晶体发热，若控制不当，甚至会破坏功率晶体。因此有需要使切换时间越短越好，以降低其切换损失。一般的切换时间约在微秒等级。晶体的切换时间和驱动闸极需要的电流成反比。因此切换电流一般会要求在数百mA的等级，甚至会到数安培的大小，因为一般的闸极电压会在10-15V之间，切换时会需要消耗数瓦特的功率。假如需要高速的切换大电流，例如直流-直流转换器或是大型的电动机，会将数个功率晶体并联，以提供够大的切换电流及功换功率。

功率晶体的切换信号一般是由逻辑电路或是单片机提供，其输出信号的电流一般会限制在数毫安。若功率晶体直接以此信号驱动，其切换速度会非常的慢，而且产生的切换损失很大。在切换时，闸极电容会快速的抽电流，可能会从逻辑电路或是单片机抽取过多的电流，造成元件的永久损坏。为了避免此一情形，会在逻辑电路及单片机输出电路和功率晶体之间加上闸极驱动器。

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张汉（1567年），字灌之，湖广安陆州群牧所（今湖北省钟祥市）人，军籍。明朝政治人物、进士出身。

正德五年（1510年）湖广乡试举人，九年（1514年）登甲戌科二甲进士。嘉靖四年（1525年）官江西赣州府知府，调吉安府，嘉靖十二年，升任陕西布政使司右参政。嘉靖十三年三月，任顺天府府丞。嘉靖十四年十一月，任都察院左佥都御史、甘肃巡抚。

嘉靖十八年（1539年）二月，起复左佥都御史、整饬蓟州边备兼巡抚顺天等处，十九年六月升任户部左侍郎、总督仓场兼理西苑农事，二十年八月回户部管事，十月奉命往山西赈济，二十一年正月兼理山西督饷大臣。嘉靖二十二年正月改任兵部左侍郎。嘉靖二十三年十月，兼右佥都御史，接替翟鹏任总督北直隶河南山东军务，其在任期间上选将、练兵、信赏、必罚四事，请求令大将得专杀偏裨，而总督亦得斩大将，使得军法严纪。但嘉靖帝不欲将权力下放给大臣，并由此厌恶张汉。兵部则称其言可以听从。嘉靖二十四年三月考察拾遗，言官劾张汉刚愎，在镇多不法事，遂令锦衣卫将其逮捕入诏狱，谪戍镇西衞。此后数年边疆有警报，御史陈九德举荐，嘉靖帝大怒，贬陈九德为民。张汉居戍所二十年卒。隆庆元年，赠兵部尚书。

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