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对于0 16cm-3左右，先镀Ti接触硅再镀上Ag形成欧姆接触。连同使用其它的反应金属，铝接触通过消耗天然氧化物中的氧来形成。硅化物很大程度上取代了铝（Al）部分因为高折射材料不太倾向于扩散到不希望的地带，特别是在随后的高温处理过程中。
复合半导体接触的形成可以理解比硅接触更为复杂。比如说，砷化镓（GaAs）表面倾向于丢失砷而且这种砷丢失的趋势可以通过沉积金属而被可观的放大。另外，砷的易挥发性限制了沉积后退火时砷化镓器件的承受度。砷化镓及其他复合半导体的一种解决办法是沉积低禁带合金接触层与高掺杂层相对。例如，砷化镓自己比砷化铝镓（AlGaAs）有更小的禁带带宽 所以一层靠近它表面的砷化镓层能促进欧姆行为。总之相比之下，III-V和II-VI半导体欧姆接触技术比硅欧姆接触技术发展较缓。
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陈之辉，男，河北承德人，中国大陆演员。爱好广泛，尤精武术，精通少北拳，现为中国大陆少北拳全国指导委员会副主任，中国大陆“少北拳”形象大使。参加过《三国演义》《水浒传》《倚天屠龙记》《叶问》的拍摄。
1986年就读于中央戏剧学院表演专业。1983年从影，期间曾加盟香港无线电视台从事演艺事业二年。
* 《三国演义》 饰 鲍信、许褚、廖化、太史慈
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