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MOSFET和双极性晶体管不同，MOSFET在没有切换（切换导通或是切换关断）时，不需要固定的功率输入。MOSFET的隔离闸极会形成电容器（闸极电容），在每一次切换导通或关闭时，会需要充电或放电。电晶体的基极至少需要特定的电压才能导通，同様的，闸极电容需要一定的电压才能充电，让晶体导通。同样的，若要关断晶体，也需要释放电容器上的电荷，因此闸极电容也需要放电。

在功率晶体导通或是关断，不会立刻就切换到完全导通或是完全不导通的状态，切换过程中可能会有短暂时间通过大电流，且功率晶体上有较大的电压。因此在切换时会使晶体发热，若控制不当，甚至会破坏功率晶体。因此有需要使切换时间越短越好，以降低其切换损失。一般的切换时间约在微秒等级。晶体的切换时间和驱动闸极需要的电流成反比。因此切换电流一般会要求在数百mA的等级，甚至会到数安培的大小，因为一般的闸极电压会在10-15V之间，切换时会需要消耗数瓦特的功率。假如需要高速的切换大电流，例如直流-直流转换器或是大型的电动机，会将数个功率晶体并联，以提供够大的切换电流及功换功率。

功率晶体的切换信号一般是由逻辑电路或是单片机提供，其输出信号的电流一般会限制在数毫安。若功率晶体直接以此信号驱动，其切换速度会非常的慢，而且产生的切换损失很大。在切换时，闸极电容会快速的抽电流，可能会从逻辑电路或是单片机抽取过多的电流，造成元件的永久损坏。为了避免此一情形，会在逻辑电路及单片机输出电路和功率晶体之间加上闸极驱动器。

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刘齐（1130年－1137年），金朝在灭亡北宋后在华北建立的傀儡政权。因为皇帝是刘豫，一般称“刘齐”；后世因其为金朝傀儡政权，也称之为“伪齐”。存在共六年半。

1126年—1127年靖康之变后，开封被金朝军队攻破，北宋结束。皇帝宋钦宗之弟赵构南逃，南宋开始。赵构任命刘豫知济南府、济南府守备。1128年，金军攻入，刘豫杀死抗金守将关胜后投降。

当时，金朝在京东东路、京东西路、京西南路、京西北路展开军事行动，在原北宋统治地区还没有直接统治汉人的信心。1129年三月，金朝任命刘豫移居东平府，为京东西淮南等路安抚使，管理大名府、开德府、德州、濮州、滨州、博州、棣州、沧州。

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