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4月30日至5月1日的决赛采三十五局十八胜四阶段制,约翰·斯崔特任裁判。戴维斯第一天下午先胜两局,并在帕罗扳回一局后连下三盘,第一阶段结束时以五比二领先。
当晚第二阶段开始,戴维斯再下四城把比分优势拉大到九比二,分别打出单杆42、37、55、112分,帕罗四局一共只打进六个球,合15分。第12局帕罗打出单杆52分领先44分,但戴维斯马上还以原色,以单杆62分拿下该局。第13局帕罗击球时母球落袋,戴维斯又以单杆59分胜出。下一局戴维斯击粉球失误,帕罗以单杆68分扳回一盘,比分变成三比十。此后两局帕罗特一共只打进单枚红球,戴维斯打出单杆80和68分,领先幅度扩大到十局。
第三阶段前两局帕罗错失良机,戴维斯均在打进粉球时获胜。随后两局戴维斯分别以单杆59和38分拿下,手中赛点多达14个。第21局帕罗先得40分,戴维斯以单杆42分后来居上并以70比40获胜,以十八比三的悬殊比分第六次夺得世锦赛冠军,打破1983年决赛时以十八比六击败索本的纪录,至今仍是克鲁西布剧院世锦赛史上最悬殊的决赛总比分。这是戴维斯连续第三年赢得世锦赛,追平1969年改用单败淘汰赛制以来里尔顿保持的纪录。比赛无需进入第四阶段,两人现场打起表演赛。
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年轻的恩科西·约翰逊于1997年首次引起公众注意,当时约翰内斯堡郊区梅尔维尔的一所小学因艾滋病毒呈阳性而拒绝接受他为学生。此事件在最高政治级别引起了轩然大波-南非的《宪法》禁止基于医疗状况的歧视 -后来学校撤销了其决定。
恩科西的生母在上学的同一年因艾滋病毒/艾滋病去世。多年来,他的病情不断恶化,尽管在药物治疗的帮助下,他在学校和家里过著相当积极的生活。
恩科西是第13届国际艾滋病大会的主旨演讲者,他在会议上鼓励艾滋病毒/艾滋病患者对这种疾病持开放态度并寻求平等的治疗。恩科西讲话结束时说:
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20世纪70年代,多层金属化技术被引入到集成电路制造工艺中,此技术使芯片的垂直空间得到有效的利用,并提高了器件的集成度。但这项技术使得硅片表面不平整度加剧,由此引发的一系列问题(如引起光刻胶厚度不均进而导致光刻受限)严重影响了大规模集成电路(LSI)的发展。针对这一问题,业界先后开发了多种平坦化技术,主要有反刻、玻璃回流、旋涂膜层等,但效果并不理想。80年代末,IBM公司将CMP技术进行了发展使之应用于硅片的平坦化,其在表面平坦化上的效果较传统的平坦化技术有了极大的改善,从而使之成为了大规模集成电路制造中有关键地位的平坦化技术。
化学机械平坦化是表面全局平坦化技术中的一种,既可以认为是化学增强型机械抛光也可以认为是机械增强型湿法化学刻蚀。该工艺使用具有研磨性和腐蚀性的磨料,并配合使用抛光垫和支撑环。抛光垫的尺寸通常比硅片要大。抛光垫和硅片被一个可活动的抛光头压在一起,而塑料的支撑环则用于保持硅片的位置。硅片和抛光垫同时转动(通常是以相反的方向转),但是它们的中心并不重合。在这个过程中硅片表面的材料和不规则结构都被除去,从而达到平坦化的目的。平面化后的硅片表面使得干式刻蚀中的图样的成型更加容易。平滑的硅片表面还使得使用更小的金属图样成为可能,从而能够提高集成度。
化学机械平坦化是在机械抛光的基础上根据所要抛光的表面加入相应的化学添加剂从而达到增强抛光和选择性抛光的效果。
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